Solitron 2N5114/2N5115/2N5116 P沟道JFET

2N5114/2N5115/2N5116是P沟道JFET晶体管，在应用中具有以下特点和规格：

- 封装：T0-18

- 最大反向栅极源极电压(Vgss)：30V

- 最大栅极电流(Igs)：-90mA(2N5114)、-60mA(2N5115)、-25mA(2N5116)

- 漏源电阻(RDS(on))：75Ω(2N5114)、100Ω(2N5115)、175Ω(2N5116)

- 符合JAN/JANTX/JANTXV标准

- 符合MIL-PRF-19500/476F标准

- 低导通电阻

- 可直接从TTL逻辑或CMOS切换

- 高关断隔离

- 提供S级等效筛选选项

- 重量轻

- MicroSemi的第二来源

规格参数：

Part Number Package 19500/ Breakdown Voltage Current R 150N

2N5114 TO-18 476 30V -90mA 75Ω

2N5115 TO-18 476 30V -60mA 1002

2N5116 TO-18 476 30V 25mA 175g

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Gate-Source Voltage 30V Storage Temperature 65 to 200℃

Gate Current 50mA Operating Junction Temperature -65 to 200℃

Lead Temperature1/16 from case,10 sec 300℃ Power DissipationDerating 500mM3mW°C@T=25℃

订购信息：

JAN2N5115 JANTX2N5115 JANTXV2N5115

JAN2N5116 JANTX2N5116 JANTXV2N5116

这些晶体管适用于需要反相开关或“虚拟接地”开关进入运算放大器的反相输入的场合，可处理±10VAC信号，无需驱动器，仅需+5V逻辑(TTL或CMOS)。在工作时请注意绝对最大额定值，如栅极-源极电压、存储温度、栅极电流、工作结温、引线温度、功耗。